Везде

ОЭММПУИзвестия Российской академии наук. Механика твердого тела Mechanics of Solids

  • ISSN (Print) 1026-3519
  • ISSN (Online) 3034-6428

Многофункциональная пластина-шаттл для обработки полупроводниковых пластин малого диаметра и ультратонких пластин

Вы можете
Код статьи
S30346428S1026351925020041-1
DOI
10.7868/S3034642825020041
Тип публикации
Статья
Статус публикации
Опубликовано
Авторы
Дюжев Н. А.
  • Аффилиация: Национальный исследовательский университет “МИЭТ”
Гусев Е. Э.
  • Аффилиация: Национальный исследовательский университет “МИЭТ”
Фомичёв М. Ю.
  • Аффилиация: Национальный исследовательский университет “МИЭТ”
Иванин П. С.
  • Аффилиация: Национальный исследовательский университет “МИЭТ”
Кушнарев И. В.
  • Аффилиация: Национальный исследовательский университет “МИЭТ”
Беспалов В. А.
  • Аффилиация: Национальный исследовательский университет “МИЭТ”
Том/ Выпуск
Том / Номер выпуска 2
Страницы
68-82
Аннотация
Впервые в России была проведена обработка пластины диаметром 100 мм с формированием отверстий для TSV структур на автоматизированном оборудовании для пластин диаметром 150 мм без перестройки установок. Для реализации данной технологии была разработана пластина-шаттл. Расчет надежности кремниевой пластины-шаттла был сделан на основе проведенных экспериментальных исследований механической прочности кремния. На основании полученных данных выполнен расчет толщины ультратонкой Si пластины, которая может быть без повреждения обработана в пластине-шаттле на установках с вакуумным столиком.
Ключевые слова
микросборка трехмерная интеграция TSV рельеф поверхности фотолитография ПХТ временный бондинг
Дата публикации
20.01.2026
Год выхода
2026
Всего подписок
0
Всего просмотров
13

Библиография

  1. 1. Panfeng J. et al. High quality and uniformity GaN grown on 150 mm Si substrate using in-situ NH3 pulse flow cleaning process // Superlattices Microstruct. 2017. V. 104. P. 112–117. https://doi.org/10.1016/j.spmi.2017.02.019
  2. 2. Musolino M. et al. Paving the way toward the world’s first 200mm SiC pilot line // Mater. Sci. Semicond. Process. 2021. V. 135. P. 106088. https://doi.org/10.1016/j.mssp.2021.106088
  3. 3. Peter O.H. The 300 mm silicon wafer – a cost and technology challenge // Microelectron. Eng. 2001. V. 56. № 1–2. P. 3–13. https://doi.org/10.1016/S0167-9317 (00)00499-8
  4. 4. Goldstein M., Watanabe M. 450 mm Silicon Wafers Challenges - Wafer Thickness Scaling // ECS Transactions. 2008. V. 16. № 6. P. 3–13. https://doi.org/10.1149/1.2980288
  5. 5. Sotnik L., Hubar A. Impact of automation and cals technologies on human factor in production // The 5th International scientific and practical conference “Perspectives of contemporary science: theory and practice”. 2024. P. 243.
  6. 6. D’Addona D. et al. Adaptive automation and human factors in manufacturing: An experimental assessment for a cognitive approach // CIRP Annals. 2018. V. 67. № 1. https://doi.org/10.1016/j.cirp.2018.04.123
  7. 7. Shiojima T. et al. Development of Self-releasing adhesive tape as a temporary bonding material for 3D integration // IEEE 70th Electronic Components and Technology Conference. 2020. P. 75–82. https://doi.org/10.1109/ECTC32862.2020.00025
  8. 8. Sakamoto Y. et al. A Temporary Bonding De-Bonding Tape with High Thermal Resistance and Excellent TTV for 3DIC // International Conference on Electronics Packaging. 2023. P. 39–40. https://doi.org/10.23919/ICEP58572.2023.10129768
  9. 9. Oh S., Zheng T., Bakir M.S. Electrical Characterization of Shielded TSVs With Airgap Isolation for RF/mmWave Applications // IEEE Transactions on Components, Packaging and Manufacturing Technology. 2024. V. 14. № 2. P. 202–210. https://doi.org/10.1109/TCPMT.2024.3358102
  10. 10. Handbook of wafer bonding / Ed. Ramm P., Lu J. Q., Visser Taklo M. Wiley-VCH Verlag & Co. KgaA, 2012. P. 329. https://doi.org/10.1002/9783527644223.ch15
  11. 11. Lychev S. et al. Deformations of Single-Crystal Silicon Circular Plate: Theory and Experiment // Symmetry. 2024. V. 16. № 2. P. 137. https://doi.org/10.3390/sym160201374
  12. 12. Dyuzhev N.A. et al. Study of the Effect of Radiation Exposure on Grain Size and Mechanical Properties of Thin-Film Aluminum // Mechanics of Solids. 2024. V. 59. P. 20–26. https://doi.org/10.1134/S0025654423601040
  13. 13. Дюжев Н.А. и др. Особенности влияния ориентации и размера зерен на механические свойства тонкопленочных мембран Al/Mo // Письма в ЖТФ. 2024. Т. 50. № 9. С. 10–15. https://doi.org/10.61011/PJTF.2024.09.57561.19833
  14. 14. Kozlov V. et al. Study of the mechanical strength of thin silicon wafers in the dependance on their surface treatment during thinning // Tech. Phys. Lett. 2022. № 9. P. 26. https://doi.org/0.21883/TPL.2022.09.55077.19244
  15. 15. Petersen K.E. Silicon as a mechanical material // Proceedings of the IEEE 1982. V. 70. №. 5. P. 420–457. https://doi.org/10.1109/PROC.1982.12331
  16. 16. Lychev S. et al. Deformations of Single-Crystal Silicon Circular Plate: Theory and Experiment // Symmetry. 2024. V. 16. № 2. P. 137. https://doi.org/10.3390/sym16020137
  17. 17. Huda Z., Saufi M., Shaifulazuar. Mechanism of Grain Growth in an Aerospace Aluminum Alloy // J. Ind. Technol. 2006. V. 15. № 2. P. 127–136.
  18. 18. Многофункциональный подложкодержатель для пластин, используемый при изготовлении монолитных интегральных схем: пат. 224497 Рос. Федерация. № 2023122514 / Гусев Е.Э., Иванин П.С., Фомичёв М.Ю., Зольников К.В.; госрегистрация 28.03.24.
  19. 19. Jourdain A., Schleicher A., Vos J. Extreme Wafer Thinning and nano-TSV processing for 3D Heterogeneous Integration // 70th Electronic Components and Technology Conference. 2020. P. 42. https://doi.org/10.1109/ECTC32862.2020.00020
  20. 20. Murugesan M. et al. Nano Ni/Cu-TSVs with an Improved Reliability for 3D-IC Integration Application // 31st Annual SEMI Advanced Semiconductor Manufacturing Conference. 2020. P. 1. https://doi.org/10.1109/ASMC49169.2020.9185397
  21. 21. Dinh Q., Kondo K., Hirato T. Reduction of TSV Pumping // International 3D Systems Integration Conference. 2019. P. 1. https://doi.org/10.1109/3DIC48104.2019.9058846
  22. 22. Shen W-W, Chen K-N. Three-Dimensional Integrated Circuit (3D IC) Key Technology: Through-Silicon Via (TSV) // Nanoscale Research Letters. 2017. V. 12. № 56. https://doi.org/10.1186/s11671-017-1831-4
  23. 23. Ko C.-T., Chen K.-N. Reliability of key technologies in 3D integration // Microelectron. Reliab. 2013. V. 53. № 1. P. 7. https://doi.org/10.1016/j.microrel.2012.08.011
  24. 24. Dukovic J. et al. Through-Silicon-Via Technology for 3D Integration // IEEE International Memory Workshop. 2010. P. 1. https://doi.org/10.1109/IMW.2010.5488399
  25. 25. Bauer J. et al. Spectroscopic reflectometry for characterization of Through Silicon Via profile of Bosch etching process // J. Vacuum Science & Technology B, 2019. V. 37. № 6. https://doi.org/10.1116/1.5120617
  26. 26. Ham Y.-H., Kim D., Baek K.-H. Metal/Dielectric Liner Formation by a Simple Solution Process for through Silicon via Interconnection // Electrochem. Solid-State Lett. 2011. V. 15. № 5. https://doi.org/10.1149/2.esl113678
  27. 27. Luo W. et al. Pretreatment to assure the copper filling in through-silicon vias // J. Mater. Sci.: Mater. Electron. 2016. V. 27. № 7. P. 7460–7466. https://doi.org/10.1007/s10854-016-4723-y
  28. 28. Zhang J. et al. The TSV process in the hybrid pixel detector for the High Energy Photon Source // Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. 2020. V. 980. № 164425. https://doi.org/10.1016/j.nima.2020.164425
  29. 29. Gambino J. et al. Through-silicon-via Process Control in Manufacturing for SiGe Power Amplifiers // Proc.- Electron. Compon. Technol. Conf. 2013. P. 221. https://doi.org/10.1109/ECTC.2013.6575575
  30. 30. Yan Y. et al. Investigation of reliability and security of the 3D packaging structure // 21st International Conference on Electronic Packaging Technology. 2020. P. 1. https://doi.org/10.1109/ICEPT50128.2020.9202416
  31. 31. Djuzhev N.A. et al. Technology for Manufacturing TSV Structures for the Creation of Silicon Interposers Using Temporary-Bonding Technology // Nanobiotechnology Reports. 2024. V. 19. № 2. P. 197–207. https://doi.org/10.1134/S2635167624600408
QR
Перевести

Индексирование

Scopus

Scopus

Scopus

Crossref

Scopus

Высшая аттестационная комиссия

При Министерстве образования и науки Российской Федерации

Scopus

Научная электронная библиотека